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摘 要:本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法,该紫外LED芯片通过在衬底表面上生长外延结构,以及在所述外延结构的中间设置绝缘层和凹槽接触层,进而将完整的外延结构隔离成两种彼此绝缘的第一外延结构和第二外延结构,通过凹槽接触层将第一外延结构的N型氮化镓铝层引出,并且紫外LED芯片通过基板上的N电极、P电极和中间电极配合第一外延结构和第二外延结构分别形成了发光二极管和静电保护二极管,该静电保护二极管反向并联连接在发光二极管两端,为紫外LED芯片提供了一条静电释放的通道,减小了静电放电对紫外LED芯片的直接危害,增大了LED的正向电压和抗静电放电打击的强度,从而提高了紫外LED芯片的成品率和可靠性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710640094.2 | 专利名称: | 一种紫外LED芯片及其制备方法 |
申请日: | 2017-07-31 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省广州市越秀区东风东路729号大院 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 集成电路 L LED芯片搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |