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摘 要:本发明公开了一种发光二极管,所述发光二极管包括本征GaN层,所述本征GaN层具有孔隙,空气可在所述孔隙中自由流通。本发明通过在发光二极管的本征GaN层制造空气可自由流通的孔隙,利用空气的流动性将元件在工作时产生的热量自然而然带出元件,对比现有技术,本发明中的导热介质(即空气)与LED元件的发热部分直接接触,大大提升了散热效率,使元件内部热应力分布更均匀,延长了LED寿命,同时,量子阱结构内电子和空穴辐射复合效率会得到提高,即元件的发光效率上升,同时,本发明直接改进LED的外延层结构达到散热的目的,不需要后期在外部添加新的散热结构,降低了生产成本。本发明同时提供了一种具有上述有益效果的发光二极管的制作方法。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811278391.8 | 专利名称: | 一种发光二极管及其制作方法 |
申请日: | 2018-10-30 | 申请/专利权人 | 广东工业大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省广州市越秀区东风东路729号大院 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/00搜分类 电子元器件 发光二极管 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |