发明专利已授权

一种具有高热稳定性、低功耗性能的多层相变薄膜材料

📄 申请号：CN201810902452.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-08-09

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , B82Y10_00 , B82Y30_00 ,

技术画像

所属领域

相变存储技术相变存储技术多层薄膜材料半导体存储器件

应用场景

相变存储器, 高密度数据存储, 非易失性存储, 固态存储器件, 芯片制造

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摘要

本发明涉及一种微电子领域的材料，具体涉及一种用于高速相变存储器的ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料。ZnSb薄膜和GaSb薄膜交替排列，其中，单层ZnSb薄膜的厚度为1～10nm，单层GaSb薄膜的厚度为1～10nm，所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜总厚度为2～100nm。利用类超晶格结构的特殊性，可以减少加热过程中的热量散失，降低薄膜的整体热导率，从而提高相变速度。其次，利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，可以减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，在提高热稳定性的同时加快相变速度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种Cu?Sn?Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途

当前第 / 件

一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料

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