本发明涉及一种微电子领域的材料,具体涉及一种用于高速相变存储器的ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料。ZnSb薄膜和GaSb薄膜交替排列,其中,单层ZnSb薄膜的厚度为1~10nm,单层GaSb薄膜的厚度为1~10nm,所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜总厚度为2~100nm。利用类超晶格结构的特殊性,可以减少加热过程中的热量散失,降低薄膜的整体热导率,从而提高相变速度。其次,利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应,可以减小晶粒尺寸,从而缩短结晶时间,抑制晶化,在提高热稳定性的同时加快相变速度。
📄 2018109024527
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2018-08-09