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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201810903430.2 | 专利名称: | 一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料 |
申请日: | 2018-08-09 | 申请/专利权人 | 江苏理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市中吴大道1801号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00分类检索 塑料专利转让搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明涉及一种微电子领域的材料,具体涉及一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料,ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料主要用于快速相变存储器。ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料中ZnSb薄膜和GaSb薄膜交替排列,其中,单层ZnSb薄膜的厚度为1~10nm,单层GaSb薄膜的厚度为1~10nm,所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜总厚度为3~150nm。通过交替溅射沉积ZnSb层和GaSb层,在纳米量级复合而成。具有减少热量散失,降低薄膜的整体热导率,提高加热效率、降低功耗,在提高热稳定性的同时加快相变速度,最终使相变存储器具有更快的操作速度以及更低的操作功耗。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |