发明专利已授权

一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料

📄 申请号：CN201810903430.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-08-09

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00

技术画像

所属领域

相变材料相变材料超晶格结构薄膜材料

应用场景

相变存储器, 半导体存储, 光存储, 神经形态计算

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摘要

本发明涉及一种微电子领域的材料，具体涉及一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料，ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料主要用于快速相变存储器。ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜材料中ZnSb薄膜和GaSb薄膜交替排列，其中，单层ZnSb薄膜的厚度为1～10nm，单层GaSb薄膜的厚度为1～10nm，所述ZnSb/GaSb类超晶格相变薄膜总厚度为3～150nm。通过交替溅射沉积ZnSb层和GaSb层，在纳米量级复合而成。具有减少热量散失，降低薄膜的整体热导率，提高加热效率、降低功耗，在提高热稳定性的同时加快相变速度，最终使相变存储器具有更快的操作速度以及更低的操作功耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20220819

✅ 授权

20190301

?? 实质审查的生效：

20190129

📄 公开

一种具有高热稳定性、低功耗性能的多层相变薄膜材料

当前第 / 件

一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料

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