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| 专利/申请号： | CN202210019989.5 | 专利名称： | 抑制SiC MOSFET串扰的高关断阻抗驱动电路 |
| 申请日： | 2022-01-10 | 申请/专利权人 | 南通大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省南通市崇川区啬园路9号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H03K17/16分类检索 半导体专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 2022-02-08 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN114024534A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的高关断阻抗驱动电路，包括互补导通的SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂，每个桥臂均分别包括基本驱动电路和钳位电路；所述基本驱动电路为被动管栅源极电容预充负电压，以防止正向串扰时误导通，所述钳位电路用于泄放被动管栅源极电容电荷，以防止负向串扰时反向击穿。本发明的有益效果为：通过调节栅源电压抵消栅漏电容Cgd的转移电荷。主动管开关过程中，被动管栅源极不构成回路，即高关断阻抗状态，共源寄生电感Ls引入的串扰电压不会加载在栅源两端。同时解决栅漏电容Cgd和共源寄生电感Ls引入的串扰电压。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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