抑制SiC MOSFET串扰的高关断阻抗驱动电路

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摘     要：本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的高关断阻抗驱动电路，包括互补导通的SiC MOSFET上桥臂和SiC MOSFET下桥臂，每个桥臂均分别包括基本驱动电路和钳位电路；所述基本驱动电路为被动管栅源极电容预充负电压，以防止正向串扰时误导通，所述钳位电路用于泄放被动管栅源极电容电荷，以防止负向串扰时反向击穿。本发明的有益效果为：通过调节栅源电压抵消栅漏电容Cgd的转移电荷。主动管开关过程中，被动管栅源极不构成回路，即高关断阻抗状态，共源寄生电感Ls引入的串扰电压不会加载在栅源两端。同时解决栅漏电容Cgd和共源寄生电感Ls引入的串扰电压。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

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