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摘 要:本发明属光电转换与新能源领域,为解决现有技术中氧化铁光阳极不能实现完全光解水的技术问题,提出一种内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系及制备方法,包括氧化铁吸收层、p型硅掺杂层、n型硅基底、背导电层、背防水绝缘层;所述的p型硅掺杂层与n型硅基底构成硅pn结;硅pn结的形貌为金字塔阵列结构;p型硅掺杂层与氧化铁吸收层之间设置有透明导电隧穿层。内嵌硅pn结使得硅层吸收入射光时产生较大的光电压,此光电压将与氧化铁吸收层形成串联关系,相当于外加了此大小的电压于氧化铁层,将有效降低氧化铁光阳极的开启电压,提高了氧化铁吸收层的导电率及其光生载流子的收集效率,从而实现了完全光解水。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910521496.X | 专利名称: | 一种内嵌硅pn结的氧化铁光阳极体系及制备方法 |
申请日: | 2019-06-17 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市相城区济学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/0224搜分类 硅 P 港口搜索 |
公开/公告日: | 2020-12-08 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110224033B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/12/08 | 授权 | |
2019/10/08 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 31/0224 专利申请号: 201910521496.X 申请日: 2019.06.17 |
2019/09/10 | 公开 |