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摘 要:本发明公开了一种二维材料光探测器的制作方法,其特征在于,包括以下步骤,准备基底,基底包括半导体衬底和设置于半导体衬底一面的绝缘层,在绝缘层上开设两个对称的窗口使半导体衬底暴露,在基底上开设有窗口的一面设置一层光敏二维材料,使光敏二维材料层与半导体衬底构成背靠背的双肖特基势垒,在光敏二维材料层远离半导体衬底的一面制作两处电极。本申请采用半导体二维材料和半导体构成背靠背的双肖特基势垒,当加上直流偏置电压时,一个势垒正向偏置,另一个势垒反向偏置,从而使得本申请具有较低的暗电流。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810587639.2 | 专利名称: | 一种二维材料光探测器及其制作方法 |
申请日: | 2018-06-08 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市相城区济学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/18搜分类 探测 二维材料 光探搜索 |
公开/公告日: | 2019-12-31 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108767068B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/12/31 | 授权 | |
2018/11/30 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 31/18 专利申请号: 201810587639.2 申请日: 2018.06.08 |