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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201410767151.X | 专利名称: | 使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法 |
申请日: | 2014-12-12 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01B33/021分类检索 冶金 纳米材料 纳米线 硅 港口 多孔专利转让搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明涉及一种使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法,它包括以下步骤:(a)将冶金级硅浸入不同有机溶液中,分别超声处理15~30分钟;(b)将超声处理后的冶金级硅浸入氧化溶液中,在50~90℃条件下反应0.5~5小时得氧化冶金级硅;(c)置于质量浓度为10~30%氢氟酸溶液;(d)真空溅射30~60秒得到银沉积冶金级硅;(e)将所述银沉积冶金级硅浸入氢氟酸与强氧化物的混合溶液中,在40~80℃条件下超声1~5小时后取出放入管式炉中通含氟气体2~3小时并进行干燥;(f)表面进行剥离得到多孔硅纳米线。一方面离子溅射仪沉积的银纳米粒子颗粒均匀,有利于在硅纳米线上形成孔径均匀的多孔结构;另一方面缩短时间、提高效率;而且该发明简单易行,适于大规模生产。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |