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摘 要:本发明公开了一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法,先在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料;再ICP刻蚀蓝宝石衬底GaN基LED外延材料,进行器件隔离;再对蓝宝石衬底GaN基LED外延材料表面磁控溅射p型接触金属、反射金属和键合金属;再对金刚石热沉衬底表面磁控溅射键合金属;再将蓝宝石衬底GaN基LED外延材料和金刚石热沉衬底进行金属键合;再采用激光剥离技术对蓝宝石衬底进行剥离;最后磁控溅射n型接触金属。本发明采用高热导率的金刚石做热沉,LED阳极金属与金刚石金属键合接触,散热优势明显;所述LED阳极金属与金刚石低温下金属键合,有效避免了传统的高温键合对LED性能的影响;所述蓝宝石衬底激光剥离过程中,工艺简单。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201611081848.7 | 专利名称: | 一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法 |
申请日: | 2016-11-30 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L33/64搜分类 电子元器件 LED 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 2019-04-12 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106784276B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/04/12 | 授权 | |
2017/06/23 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 33/64 专利申请号: 201611081848.7 申请日: 2016.11.30 |
2017/05/31 | 公开 |