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摘 要:一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件,可用于高压片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件在高压ESD脉冲作用下,一方面由第一P+注入区、N阱、第二N+注入区、P阱、第三N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径,提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性;另一方面利用第一P+注入区、多晶硅栅、薄栅氧化层与第二P+注入区形成的PMOS管,通过栅极接高电位形成GDPMOS管,以抑制SCR器件发生强回滞,提高器件的维持电压,增强器件的抗闩锁能力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410521878.X | 专利名称: | 一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件 |
申请日: | 2014-09-28 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 SCR P 器件 高维持搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |