专利名称：一种用于微型电机自动焊接系统      申请号：2012104439432     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：高维持   相似专利 发布日：2025/04/07  
摘要： 本发明公开了一种用于微型电机自动焊接系统，包括主机箱、机台、电控工作平台、夹具、焊头、镜头、CCD图像传感器、显示器、送丝机构，所述的主机箱上设有机台，机台上设有电控座工作台，夹具安装于电控工作台上，夹具上端相对应设有焊头和镜头，焊头和镜头通过支架安装于电控工作平台一侧，镜头上设有CCD图像传感器，显示器设于主机箱另一侧，主机箱内设有图像采集卡实现焊接部位的自动识别。本发明克服了现有技术的不足，设计通过主机箱计算机计算出电机应该转动的角度，在此基础上进一步计算出应该给电机发送的脉冲数；通过通讯端口向驱动器发送命令，使电机驱动器驱动电机转动相应的角度，可以实现工作台的精确定位。

专利名称：一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件      申请号：201410024428X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SCR L 器件 保护器件 高维持   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种具有高维持电流强鲁棒性的LDMOS-SCR结构的ESD自保护器件，可用于片上IC高压ESD自保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区、第三P+注入区、第二N+注入区、第一场氧隔离区、薄栅氧化层、第二场氧隔离区、第三场氧隔离区、第四场氧隔离区和多晶硅栅构成。本发明设计的LDMOS-SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，可分别形成寄生LDMOS-SCR结构和两个二极管与LDMOS导电沟道相连的ESD电流泄放路径，快速泄放ESD电流，提高器件触发回滞后的维持电流和失效电流、增强器件的ESD鲁棒性，适用于高压电路的ESD自保护。

专利名称：一种PMOS触发LDMOS-SCR结构的高维持电压ESD保护器件      申请号：201610008442X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SCR P L 器件 保护器件 高维持   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种PMOS触发LDMOS‑SCR结构的高维持电压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该LDMOS‑SCR结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、第二多晶硅栅及其覆盖的薄栅氧化层、N阱、第四P+注入区构成的PMOS泄放路径，提高器件的维持电压、降低器件的触发电压；另一方面由所述第四P+注入区、所述N阱、所述P阱、所述第二P+注入区构成一条PNPN结构的ESD电流泄放路径，以提高器件的二次失效电流、增强器件的ESD鲁棒性。

专利名称：一种高维持MOS辅助触发SCR结构的瞬态电压抑制器      申请号：2018107300166     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：辅助 SCR 高维持   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种高维持MOS辅助触发SCR结构的瞬态电压抑制器，属于集成电路的静电放电防护及抗浪涌领域，可用于提高芯片的抗ESD能力。该器件包括嵌入式MOS、SCR、BJT结构和金属线，其中由PNP、NPN与PMOS辅助SCR结构的正向ESD电流泄放路径，以及由NPN、PNP与NMOS辅助触发SCR结构的反向ESD电流泄放路径SD电流泄放路径，不仅具有低触发、高维持电压的小电压回滞特性，还具有强ESD鲁棒性，与单向瞬态器相比，所述瞬态电压抑制器的单位面积ESD防护能力强。

专利名称：一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件      申请号：201410521878X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：SCR P 器件 高维持   相似专利 发布日：2023/05/25  
摘要： 一种具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件，可用于高压片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、N阱、P阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第三P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该具有高维持电压内嵌GDPMOS的SCR器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第一P+注入区、N阱、第二N+注入区、P阱、第三N+注入区形成寄生SCR电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面利用第一P+注入区、多晶硅栅、薄栅氧化层与第二P+注入区形成的PMOS管，通过栅极接高电位形成GDPMOS管，以抑制SCR器件发生强回滞，提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。

专利名称：一种具有高维持电压的IGBT结构的ESD保护器件      申请号：2014105218775     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：器件 保护器件 高维持   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种具有高维持电压的IGBT结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、高压N阱、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该IGBT结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、N阱、高压N阱、P阱、N+注入区形成具有PNPN结构的电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面由第三P+注入区、N阱、第四P+注入区、第一P+注入区、P阱以及第二P+注入区形成寄生PNP三极管和寄生电阻串联的另一条电流泄放路径，以提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。