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24小时咨询热线摘 要：一种具有高维持电压的IGBT结构的ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、高压N阱、N阱、P阱、第一P+注入区、第二P+注入区、N+注入区、第三P+注入区、第四P+注入区、金属阳极、金属阴极、多晶硅栅、薄栅氧化层和若干场氧隔离区构成。该IGBT结构的ESD保护器件在高压ESD脉冲作用下，一方面由第三P+注入区、N阱、高压N阱、P阱、N+注入区形成具有PNPN结构的电流泄放路径，提高器件的失效电流、增强器件的ESD鲁棒性；另一方面由第三P+注入区、N阱、第四P+注入区、第一P+注入区、P阱以及第二P+注入区形成寄生PNP三极管和寄生电阻串联的另一条电流泄放路径，以提高器件的维持电压，增强器件的抗闩锁能力。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN201410521877.5 | 专利名称： | 一种具有高维持电压的IGBT结构的ESD保护器件 |
| 申请日： | 2014-09-28 | 申请/专利权人 | 江南大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省无锡市蠡湖大道1800号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L27/02搜分类 器件 保护器件 高维持搜索 |
| 公开/公告日： | 2017-06-23 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN104485329B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2017/06/23 | 授权 | |
| 2015/04/29 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 27/02 专利申请号: 201410521877.5 申请日: 2014.09.28 |
| 2015/04/01 | 公开 |
