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摘 要:本发明公开了一种全光控SiC高压器件,包括采用n型SiC材料制作的衬底;衬底的上表面外延有n型缓冲层;在n型缓冲层上表面外延有n型漂移区;在n型漂移区上表面分别注入有p型结区和p型基区;在p型基区上表面注入有n型发射区;在p型结区与p型基区之间的n型漂移区上表面沉积有介质层;p型结区、p型基区、n型发射区以及介质层上表面共同覆盖有阴极,n型发射区其余上表面还覆盖有光电极,光电极与阴极互联;衬底下表面覆盖有阳极。本发明还公开了一种全光控SiC高压器件的制造方法。本发明的全光控SiC高压器件及其制造方法,解决了现有技术中的SiC电控器件驱动控制电路复杂、极端环境耐受能力弱的问题。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110686787.1 | 专利名称: | 一种全光控SiC高压器件及其制造方法 |
申请日: | 2021-06-21 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/11搜分类 C IC 器件 高压器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |