一种全光控SiC高压器件及其制造方法

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摘     要：本发明公开了一种全光控SiC高压器件，包括采用n型SiC材料制作的衬底；衬底的上表面外延有n型缓冲层；在n型缓冲层上表面外延有n型漂移区；在n型漂移区上表面分别注入有p型结区和p型基区；在p型基区上表面注入有n型发射区；在p型结区与p型基区之间的n型漂移区上表面沉积有介质层；p型结区、p型基区、n型发射区以及介质层上表面共同覆盖有阴极，n型发射区其余上表面还覆盖有光电极，光电极与阴极互联；衬底下表面覆盖有阳极。本发明还公开了一种全光控SiC高压器件的制造方法。本发明的全光控SiC高压器件及其制造方法，解决了现有技术中的SiC电控器件驱动控制电路复杂、极端环境耐受能力弱的问题。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注

• 申请号	专利名称	发布日期
  2021115786110	【发明】一种太阳能电池片生产去磷硅玻璃智能加工设备	2025/09/16
  2022216470308	【实用新型】一种用于光伏发电的单晶硅片	2025/09/11
  2017112759416	【发明】叠加式金属网格型透明电极的激光定域去除制备方法	2025/09/08
  2022226098449	【实用新型】双面太阳能电池	2025/09/08
  2022226089045	【实用新型】光伏电池	2025/09/08
  2022226089011	【实用新型】光伏电池组件	2025/09/08
  2015109685047	【发明】晶体硅太阳能电池点接触背电极结构的制备方法	2025/09/02
  2023225388275	【实用新型】一种太阳能电池板硅片制绒的清洗装置	2025/09/02
  2023224564212	【实用新型】一种制造多晶硅太阳能电池片的制绒槽的滚轮装置	2025/09/02
  2023223056805	【实用新型】一种太阳能电池硅片制绒装置	2025/09/02