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24小时咨询热线摘 要：本发明公开了直拉硅单晶生长系统中磁场电源的控制方法，具体步骤如下：在当前k时刻获得系统采样信号，将负载电压vos(k)与目标电压vf(k)比较形成偏差信号Δv(k)输入外环无模型自适应控制器，内环MLD模型根据当前时刻的采样信号以及当前时刻的控制量u(k)进行模型状态更新；计算得到电感电流参考值Iref(k)和内环MLD模型更新完毕的模型状态xm(k)；模型预测控制器根据Iref(k)以及当前时刻的模型状态xm(k)计算下一时刻的控制量u(k)，将得到的控制量施加到被控系统以及内环MLD模型中。本发明实现了具有感性负载特性的磁场电源的精确控制。与传统控制方法相比，系统参数与模型参数一致时提高了系统稳定性以及控制精度；当系统参数发生变化导致模型失配时，也可以通过内外环调节使系统稳定。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN201910098559.5 | 专利名称： | 直拉硅单晶生长系统中磁场电源的控制方法 |
| 申请日： | 2019-01-31 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 陕西省西安市金花南路5号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H02M3/156搜分类 电源 硅 磁场 生长 单晶搜索 |
| 公开/公告日： | 2022-01-07 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN110144622B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2022/01/07 | 授权 | |
| 2019/09/13 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C30B 15/20 专利申请号: 201910098559.5 申请日: 2019.01.31 |
| 2019/08/20 | 公开 |
