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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202110284568.0 | 专利名称: | 采用混合半导体技术的RCC电路 |
申请日: | 2021-03-17 | 申请/专利权人 | 南京工业职业技术大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市栖霞区羊山北路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H02M3/338分类检索 半导体专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2021-05-14 | 转让价格: | 面议 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN112803786A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明公开一种采用混合半导体技术的RCC电路,涉及开关电源领域,电路采用了LDMOS器件和GaN基HEMT器件,提高电路工作频率至数百kHz。两种类型器件采用了同一个硅衬底,三晶体管共用一个晶圆,减小体积、提升可靠性控制。电路通过第三辅助绕组Na,采用正反馈模式的自激驱动腔自动为Si基LDMOS器件Q3提供驱动信号,无须控制芯片。采用了集成式的高频电流逐周期检测方案,与自激驱动腔共用一个线圈,省去了电流检测电阻,实现了无损耗电流检测。电路还采用了积分反馈法实现原边反馈,通过在关断时间内,对第一GaN HEMT器件Q1漏极电压进行积分计算,间接获取输出电压信息,从而实现对输出电压的实时精确调控。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |