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摘 要:本发明公开了一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管,包括SiC衬底,在SiC衬底之上依次制作有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层、第六外延层,第六外延层分为多个凸台;在第三外延层上部镶嵌有结终端,并且结终端位于第四外延层和第五外延层的末端之外;还包括绝缘介质薄膜,绝缘介质薄膜覆盖在各个凸台侧壁、各个凸台之间的第五外延层表面以及结终端台面的侧壁与表面;在第六外延层的各个凸台上端面覆盖有阳极;在SiC衬底下端面覆盖有阴极。本发明还公开了该种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管的制作方法。本发明的结构独特,器件性能优异;本发明的制作方法,便于实施。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710711313.1 | 专利名称: | 一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管及制作方法 |
申请日: | 2017-08-18 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/745搜分类 硅 港口搜索 |
公开/公告日: | 2020-05-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107579115B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/05/22 | 授权 | |
2018/02/06 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/745 专利申请号: 201710711313.1 申请日: 2017.08.18 |
2018/01/12 | 公开 |