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一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管及制作方法

来源:https://www.shizifang.com  发布日:2022/10/26

摘     要:本发明公开了一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管,包括SiC衬底,在SiC衬底之上依次制作有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层、第六外延层,第六外延层分为多个凸台;在第三外延层上部镶嵌有结终端,并且结终端位于第四外延层和第五外延层的末端之外;还包括绝缘介质薄膜,绝缘介质薄膜覆盖在各个凸台侧壁、各个凸台之间的第五外延层表面以及结终端台面的侧壁与表面;在第六外延层的各个凸台上端面覆盖有阳极;在SiC衬底下端面覆盖有阴极。本发明还公开了该种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管的制作方法。本发明的结构独特,器件性能优异;本发明的制作方法,便于实施。

著 录 项: 

专利/申请号: CN201710711313.1 复制 专利名称: 一种具有双层薄n基区的碳化硅光触发晶闸管及制作方法 复制
申请日: 2017-08-18 申请/专利权人 西安理工大学
专利类型: 发明 地址: 陕西省西安市金花南路5号
专利状态: 已下证 查询审查信息 分类号: H01L29/745搜分类   硅 港口搜索
公开/公告日: 2020-05-22 转让价格: 面议
公开/公告号: CN107579115B 交易状态: 等待洽谈   搜索相似专利

专利交易流程

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专利转让材料

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    专利转让协议(需盖公章)一式两份 专利转让协议(需签字)一式两份
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    专利转让协议(需盖公章)一式两份 专利转让协议(需签字)一式两份
    专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
    专利证原件(若授权下证) 专利证原件(若授权下证)

专利法律信息

  • 日期 法律信息 备注
    2020/05/22 授权
    2018/02/06 实质审查的生效 IPC(主分类): H01L 29/745 专利申请号: 201710711313.1 申请日: 2017.08.18
    2018/01/12 公开
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