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摘 要:本发明公开了一种直拉硅单晶生长过程热场模型辨识方法,首先通过采样装置分别获得加热器功率以及相同时刻下晶体直径采样数据,作为输入输出数据对;使用支持向量机方法确定系统的阶次和时滞,然后通过长短时记忆网络LSTM确定加热器功率‑直径的非线性和大时滞模型;最后将训练好的网络权值和阈值作为模型参数,整个网络作为辨识得到的加热器功率‑直径模型,本发明通过LSTM网络引入时间作用,保存过去和现在的系统信息,解决了传统模型不考虑时间作用,以及机理建模或者直接采用已有的惯性环节加纯滞后模型而造成模型精度不高的问题。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811075342.4 | 专利名称: | 一种直拉硅单晶生长过程热场模型辨识方法 |
申请日: | 2018-09-14 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B15/22搜分类 过程 硅 港口 生长 单晶搜索 |
公开/公告日: | 2018-12-21 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109056056A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2019/07/23 | 授权 | |
2019/01/15 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C30B 15/22 专利申请号: 201811075342.4 申请日: 2018.09.14 |