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摘 要:本发明公开了一种等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法,包括:输入模型文件;初始化参数以及设置PML系数和吸收边界参数;更新计算整个计算区域磁场分量系数添加场源到电场分量系数更新计算整个计算区域的电场分量系数更新计算整个计算区域的电场分量系数更新计算整个计算区域的电子平均速度更新计算整个计算区域的电磁场分量系数的辅助变量;计算观测点处电磁场分量;将q+1赋值给q,并判断q是否达到预设值,若q未达到预设值,返回步骤3;若q达到预设值时,则结束。本发明的一种等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法,吸收边界能够很方便的与CFS因子中的参数相结合,对于低频和凋落波具有较好的吸收效果。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510198034.0 | 专利名称: | 一种等离子体中扩展坐标的完全匹配吸收边界的实现方法 |
申请日: | 2015-04-23 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F17/50搜分类 等离子体搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |