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24小时咨询热线摘 要：本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次由衬底，GaN缓冲层，沟道层，势垒层，势垒层上的源极、漏极和栅极，栅极与漏极之间的电荷补偿层，电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成，其特征在于：所述的沟道层、势垒层和电荷补偿层均为GaN材料，沟道层和势垒层极化方向相反，势垒层和电荷补偿层极化方向相反。沟道层和势垒层之间与势垒层和电荷补偿层之间由于极化电荷不平衡，产生了数量相同、类型相反的电荷，形成电荷自平衡的超结结构。解决了采用AlGaN等材料作为势垒层引起的可靠性与输出功率低等问题，同时解决了已有超结GaN器件中的电荷不平衡问题，提升了器件性能。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN201610191581.0 | 专利名称： | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管 |
| 申请日： | 2016-03-30 | 申请/专利权人 | 宁波大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省宁波市江北区风华路818号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L29/06搜分类 电子搜索 |
| 公开/公告日： | 2019-07-23 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN105870164B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2023/05/30 | 专利实施许可合同备案的生效 | IPC(主分类): H01L 29/06 合同备案号: X2023980035530 专利申请号: 201610191581.0 申请日: 2016.03.30 让与人: 宁波大学 受让人: 宁波市狮山管业有限公司 发明名称: 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管 申请公布日: 2016.08.17 授权公告日: 2019.07.23 许可种类: 普通许可 备案日期: 2023.05.15 |
| 2023/04/04 | 专利实施许可合同备案的生效 | IPC(主分类): H01L 29/06 合同备案号: X2023980033633 专利申请号: 201610191581.0 申请日: 2016.03.30 让与人: 宁波大学 受让人: 宁波市科技创新协会 发明名称: 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管 申请公布日: 2016.08.17 授权公告日: 2019.07.23 许可种类: 普通许可 备案日期: 2023.03.17 |
| 2019/07/23 | 授权 | |
| 2016/09/14 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/06 专利申请号: 201610191581.0 申请日: 2016.03.30 |
| 2016/08/17 | 公开 |
