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摘 要:本发明公开了一种多级阻变存储器及制备方法,其中,多级阻变存储器从下至上包括:刚性基底、底电极、ZnSe/ZnS核壳量子点阻变层、顶电极。本发明采用ZnSe/ZnS核壳量子点薄膜单独作为阻变层,ZnSe和ZnS的最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)的能量存在一定的差异,因此在两端施加偏压时需要克服两次不同能量大小的肖特基结势垒,使得基于核壳结构的ZnSe/ZnS量子点的阻变存储器具有多个组态,本发明的多级阻变存储器具有高存储密度、高稳定性、低功耗且适于高度集成等优点,具有良好的应用前景,能广泛应用于生活中多个领域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810786319.X | 专利名称: | 一种多级阻变存储器及制备方法 |
申请日: | 2018-07-17 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 其他搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |