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本发明公开了一种解决混合内存读延迟不确定性的方法,涉及混合内存领域,包括提供一包括通信连接的DRAM和SCM的混合内存,所述DRAM按照存储单元保持时间包括主要分布区和尾端分布区,将暴读(Read‑heavy)数据或暴读(Write‑heavy)数据放入将被SCM替换的DRAM尾端分布区,且所述混合内存中预存有地址查找转换表,所述地址查找转换表中包括发生替换存储的所述DRAM地址和所述SCM地址的映射项。解决内存瓶颈和功耗瓶颈不是一件容易的事情,但是通过各个方面的交叉努力,如工艺配方,存储器新型设计,结构创新,系统支持等,还是存在可能的机会,甚至无需更改DRAM,存储控制器和操作系统。随着DRAM和SCM在页读延迟上的差别减小,在一个固定周期内的PCM访问差别将会消失。
📄 201610526793X 📂 G06F12_06 👤 上海新储集成电路有限公司 📅 2016-07-06
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发明 已授权

一种解决混合内存读延迟不确定性的方法

201610526793X · 上海新储集成电路有限公司
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CRISPR基因编辑技术

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SiC功率器件工艺专利

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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
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交易金额:¥50万/年