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摘 要:本发明公开了一种氧化槽交替隔离型绝缘栅双极晶体管,包括从上到下依次设置的包括从上到下依次设置的N+发射极区、P‑body区、N‑CS载流子存储区、N‑drift漂移区、N‑FS场截止区和P+集电极区;位于晶体管中间的N+发射极区内设置有Gate栅极区,位于晶体管中间的P‑body区上表面有与N+发射极区间隔设置的P+发射极区,靠近晶体管边缘的N‑FS场截止区的下表面还设置有N+集电极区,N+集电极区与位于晶体管边缘的P+集电极区间隔设置,靠近晶体管边缘的P+集电极区与N+集电极区之间开有氧化槽,本发明的晶体管通过多处优化设计使得器件在消除Snapback现象的同时恢复损耗也得到降低。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811005402.5 | 专利名称: | 一种氧化槽交替隔离型绝缘栅双极晶体管及其制备方法 |
申请日: | 2018-08-30 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/739搜分类 隔离搜索 |
公开/公告日: | 2022-02-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109256423B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2022/02/18 | 授权 | |
2019/02/22 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/739 专利申请号: 201811005402.5 申请日: 2018.08.30 |
2019/01/22 | 公开 |