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摘 要:本发明公开了一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管,属于有机光电显示器件技术领域,其包括由上至下依次设置的变取向像素层、基底、第一传输层、有机发光层、第二传输层和复合背电极,在基底上表面设置变取向像素化纳米金属光栅单元,组成变取向像素化层,纳米金属光栅周期为100~220nm,占空比为0.3~0.6,槽深为60~120nm;在第一传输层、有机发光层、第二传输层和复合背电极上均设置相同取向的一维纳米光栅结构,相同取向的一维纳米光栅结构为周期性阵列光栅,光栅的周期为150~250nm,占空比为0.4~0.6,槽深为30~50nm。本发明能实现有机发光二极管的变取向像素化线偏振出光,可用于主动式偏振信息编码、目标反隐及偏振成像等领域。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910831941.2 | 专利名称: | 一种变取向像素化线偏振出光有机发光二极管 |
申请日: | 2019-09-04 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/52搜分类 电子设备和元器件搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 26000.0元 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |