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摘 要:本发明涉及太阳电池,特指一种应用nc-Si:H和SiNx构成超晶格纳米量子阱材料的新型太阳电池,利用纳米硅的带隙可调性和结合多氮化硅的良好势垒特性制备了nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱太阳电池,此种电池的超晶格量子阱材料中,极薄的nc-Si层充当一个封闭载流子的量子阱层,nc-Si:H薄膜光学带隙依次由顶向下形成过渡结构,拓展了太阳电池对光的吸收谱、提高光吸收总量和吸收效率;同时保持第二代薄膜电池低成本优点。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201110066394.7 | 专利名称: | 一种超晶格量子阱太阳电池及其制备方法 |
申请日: | 2011-03-18 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L31/06搜分类 电池搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |