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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201711423827.3 | 专利名称: | 沟槽型联栅晶体管及其制作方法 |
申请日: | 2017-12-25 | 申请/专利权人 | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/786分类检索 沟槽专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2021-10-01 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN108155244B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明涉及一种沟槽型联栅晶体管及其制作方法。所述沟槽型联栅晶体管包括N型衬底、在所述N型衬底上形成的N型外延层、在所述N型外延层表面形成的P型基区、贯穿所述P型基区的多个沟槽、在所述多个沟槽内壁形成的P型高掺杂区、在所述P型基区及所述P型高掺杂表面形成的TEOS氧化层、贯穿所述TEOS氧化层且对应所述P型基区的开口、形成于所述沟槽中与所述开口中的多晶硅、在所述P型基区的表面形成的N型区域、在所述TEOS氧化层、所述P型高掺杂区及所述多晶硅上形成的正面金属、及在所述N型衬底远离所述N型外延层一侧形成的背面金属。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2023/12/22 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2023.12.05 专利权人由深圳市晶特智造科技有限公司变更为穆棱市北一半导体科技有限公司 地址由518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼变更为157500 黑龙江省牡丹江市穆棱市经济开发区创业大厦301-303室 |
2021/10/01 | 授权 | |
2018/07/06 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 29/786 专利申请号: 201711423827.3 申请日: 2017.12.25 |
2018/06/12 | 公开 |