一种GaN基LED与TFT异质单片集成的LED微显示像素单元结构

摘     要：本发明提供一种TFT与GaN基LED异质单片集成的LED微显示像素单元结构，该结构由GaN基LED结构与TFT结构两部分组成：GaN基LED在蓝宝石衬底依次外延生长u‑GaN缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱有源层、p‑GaN层、InGaN基接触层；TFT结构是在已经制作成LED芯片单元结构上面进行生长，依次生长绝缘层、TFT源极（也是LED的P电极）、TFT漏极、半导体层作为TFT有源层、栅极绝缘层、栅极。本发明实现了LED与TFT集成到同一衬底上，实现异质单片集成TFT直接调制LED灰度，提升LED微显示的电学稳定性和集成度。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2019/07/05	授权
  2017/03/22	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 27/12 专利申请号: 201611012732.8 申请日: 2016.11.17
  2017/02/22	公开