多晶硅高阻的制作方法

摘     要：本发明提供了一种多晶硅高阻的制作方法，包括：在具有预设厚度的多晶硅层进行掺杂，以形成轻掺杂多晶硅上层和非掺杂多晶硅下层；在所述轻掺杂多晶硅上层表面形成二氧化硅阻挡层；对所述二氧化硅阻挡层和所述轻掺杂多晶硅上层进行刻蚀，以将多晶硅高阻区域刻蚀出来；在所述多晶硅高阻区域的周围形成氮化硅侧墙；利用所述氮化硅侧墙和所述二氧化硅阻挡层的阻挡，对所述非掺杂多晶硅下层进行重掺杂，以在所述多晶硅高阻区域的侧下方形成重掺杂多晶硅区域；通过刻蚀将所述重掺杂多晶硅区域和所述多晶硅高阻区域相互隔离。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2020/08/14	专利申请权的转移	登记生效日: 2020.07.27 申请人由深圳市晶特智造科技有限公司变更为李友洪 地址由518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼变更为318050 浙江省台州市路桥区蓬街镇山下李村38号
  2018/06/29	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 29/04 专利申请号: 201711429247.5 申请日: 2017.12.25
  2018/06/05	公开