发明专利 已授权

基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器

📄 申请号:CN202310798721.0 📄 发布日:2026/11/05

著录项目信息

申请日
2023-06-30
公开号
CN116839768B
公开日
2024-02-20
申请人
济南大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

工业自动化, 消费电子, 航空航天, 结构健康监测, 医疗器械

摘要

本发明涉及压阻式应力传感器技术领域,提出了基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器,包括底座,所述底座的上方设置有二硒化钨层,所述二硒化钨层底部的左右两侧连接有电极,所述二硒化钨层的上方设置有陶瓷绝缘层,所述陶瓷绝缘层的顶部安装有承重层,所述承重层的左右两侧设置有第一导电片,所述承重层的中间安装有电源,所述电源的左右两侧连接有导电板,所述导电板远离所述电源的一侧与所述第一导电片相连,所述底座顶部的右侧固定连接有第一侧板。通过上述技术方案,解决了现有的现有的压阻式应力传感器不能够在不影响支撑效果的同时延伸顶部支撑范围,而且不能够在受到侧向力时分区域发出警报或者整体性发出警报的问题。

常见问题

这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN116839768B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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