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本发明提出一种死区补偿方法、逆变器控制电路、装置及逆变器。其中：死区补偿方法包括：通过电流采样模块采集逆变器电路的电流信号；利用扰动观测器法搭建死区，死区补偿观测器模块观测电流信号得到扰动电压，并将扰动电压取反得到补偿初始电压，将得到的补偿初始电压输送至线性补偿模块；通过线性补偿模块进一步对补偿初始电压进行线性增益调节生成补偿电压，并将补偿电压反馈至信号输出模块；通过信号输出模块产生与补偿电压对应的控制信号，并将控制信号输入至逆变器电路。通过死区补偿观测器模块能够对输出电压误差进行补偿以减小死区效应，并采用线性补偿模块进行增益调节，在抵消死区效应的同时抑制电流钳位，提高电机的可靠性。

本发明涉及一种三通比例减压阀死区及滞环补偿方法，其包括以下步骤，步骤一：搭建系统平台，获得期望输入激励电流与实际输入激励电流间的关系；步骤二：确定实际输入激励电流与输出压力的关系；步骤三：将获得的实际输入激励电流与输出压力之间的关系进行多项式拟合；步骤四：确定期望输入激励电流与实际输入激励电流的具体关系表达式，补偿减压阀的死区和滞环。本发明通过多项式拟合计算期望输出压力下的期望激励电流，完成了对三通比例减压阀死区和滞环的补偿；能兼顾三通比例减压阀的死区和滞环，针对二者同时进行补偿；与传统硬件补偿方法相比，无需额外添加硬件检测电路，结构更加简单，计算结果更准确。

本发明涉及电力电子领域，尤其是涉及的是一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通和门极反向过压的驱动电路，该上桥臂电路包括第一驱动电路、第一低阻抗桥臂串扰抑制电路，该下桥臂电路包括第二驱动电路、第二低阻抗桥臂串扰抑制电路。该电路从减小处于关断状态的GaN HEMT门极关断回路阻抗的角度出发，在不影响GaN HEMT正常关断速度和不采用负压关断增加反向过压的前提下，抑制了门极反向过冲的产生。

本实用新型涉及一种带有死区保护的静止无功发生器驱动电路，包括与输入端连接的投切死区形成电路、与投切死区形成电路连接的隔离驱动电路，以及与隔离驱动电路连接的推免放大电路，推免放大电路的输出端与外部电路连接；投切死区形成电路包括分别与输入端连接的驱动脉冲互补输出电路和驱动脉冲隔离放大电路；隔离驱动电路包括一对光耦驱动电路组，驱动脉冲互补输出电路和驱动脉冲隔离放大电路分别通过光耦驱动电路组与推免放大电路连接。本实用新型提供一种带有死区保护的静止无功发生器驱动电路，使静止无功发生器使用更安全、更可靠；可以将驱动信号进行延时取反，驱动互补IGBT管，保证上下桥臂不会同时导通。

本发明公开了一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流‑直流变换器死区设置方法，包括以下步骤：S1、获取变换器输出电压及输入电感电流；S2、通过SiC MOSFET及其驱动的数据手册获取相关参数信息；S3、利用所提公式计算SiC MOSFET漏源电压为输出电压时的输出电荷；S4、利用所提公式计算死区时间一T1，并将续流SiC MOSFET关断后的死区设为N倍的死区时间一，1.5≤N≤2；S5、利用所提公式计算死区时间二T2；S6、将死区时间二T2与N倍的T1及变换器允许的最大死区时间Tmax比较，并根据比较结果将主动SiC MOSFET关断后的死区设为死区时间二、N倍的T1或最大死区时间。本发明不仅可以同时降低二极管与输出电容带来的损耗，而且无需死区设置硬件电路，实现简单，成本较低。