功率半导体驱动电路 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

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法律状态：全部已授权审中

项目申报：全部报过没有报过

发明已授权

本发明公开了一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路，包括双边栅极驱动芯片、差分放大电路、模拟乘法器、串扰抑制电路。本发明通过差分放大电路提取对应的延时开关驱动信号，再由模拟乘法器将延时开关驱动信号与并联管经过抬升后的驱动信号进行相乘，生成对应将产生串扰的主功率管的串扰抑制电路开通信号，开启负向串扰抑制电路，另外正向串扰抑制电路中三极管将实时检测驱动电阻两端电压，一旦由正向串扰电流流过驱动电阻，将自动开启正向串扰抑制电路。本发明可以有效的消除串扰给混合并联造成的影响，具自适应性，且响应速度快，实时性好的优点。

📄 2024116394524 📂 H02M1_00 👤 南通大学 📅 2024-11-18

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一种自适应抑制Si IGBT和SiC MOSFET混合并联串扰的驱动电路

2024116394524 · 南通大学

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