本申请涉及一种直流升压功率因数校正电路的仿真方法、仿真电路、处理器及存储介质，该方法包括分别计算得到输入电容的第一阻抗函数以及电感的第二阻抗函数；分别对第一阻抗函数和第二阻抗函数展开，得到分数阶电容逼近电路、以及分数阶电感逼近电路；采用双脉冲实验对半导体开关器件中的器件参数进行优化，得到半导体开关器件的半导体开关器件模型；基于分数阶电容逼近电路、分数阶电感逼近电路以及半导体开关器件模型，生成仿真电路。本申请得到的仿真电路更准确。
📄 2021110811648
📂 H02M1_42
👤 珠海格力电器股份有限公司
📅 2021-09-15
本发明提出一种集成APFC与开关电容变换器的升压电路及控制方法，涉及电力电子的技术领域，将APFC的实现与开关电容变换器通过共用两个开关管进行集成，利用两个PWM信号分别控制两个开关管的导通状态，使升压电路中的电感电流跟随输入电压变化，实现有源功率因数校正，控制方法简便，不存在短路现象；而且由于开关电容变换器单元的引入，利用开关电容变换器中固有的电容替代传统两级功率因数校正电路之间的直流电容或代替单级功率因数校正电路中的缓冲大电容，固有电容配合开关管的导通状态进行能量释放及储存，在实现功率因数校正的同时，实现宽范围、高电压的输出电压。
📄 2021112058037
📂 H02M1_42
👤 中山大学
📅 2021-10-15
基于开关电感电容的无桥Cuk PFC变换器，包括开关管S1~S3，二极管D1~D4，电感L1~L5，电容C1、C2和Co。其中，二极管D3、D4，电容C2以及电感L3、L4构成开关电感电容结构。将原续流二极管置换为开关电感电容结构，使得变换器电压增益为D/2(1‑D)，相较于传统Cuk PFC变换器，本发明所述变换器实现了正电压输出、提高了降压增益，降压模式下的占空比范围更宽。同时采用无桥结构，可实现更低通态损耗。本发明所述变换器输入输出电流连续、功率因数高、效率高，具有丰富的应用性。
📄 2022113857760
📂 H02M1_42
👤 三峡大学
📅 2022-11-07
基于开关电感电容的无桥Sepic PFC变换器，主要包括开关管S1~S3，二极管D1~D4，电感L1~L5，电容C1、C2和Co。其中，二极管D3、D4，电容C2以及电感L4、L5构成开关电感电容结构。所述变换器电压增益为D/2(1‑D)，相比于传统Sepic PFC变换器，本发明所述变换器提高了降压增益，在高降压比情况下输出端电压稳定。采用无桥结构，可实现更低通态损耗。将原输出二极管置换为开关电感电容结构使得输出电流连续，有利于对输出进行滤波。且所有开关管均共地，控制实现方便。本发明所述变换器具有丰富的实用价值。
📄 202211384887X
📂 H02M1_42
👤 三峡大学
📅 2022-11-07
一种混合桥臂单相三电平功率因数校正电路，交流电源ug一侧与并联电感L1、L2相连，电感L1开关管S1漏极以及D1阳极连接，形成交点a；电感L2与二极管D2阴极以及S2源极，形成交点b；交流电源ug另一侧与二极管D5阳极以及D6阴极相连，形成交点N；二极管D1阴极、D3阴极、开关管S2漏极以及电容C1正极连接于点p；二极管D2阳极、D4阳极、开关管S1源极与电容C2负极连接于点m；开关管S3源极，S4漏极与分裂电容C1负极、C2正极相连于点n。本发明功率因数校正电路具有三电平结构，具有高效率、高可靠性，更低的谐波和电压应力，交流电流谐波较小等优点。
📄 202110121220X
📂 H02M1_42
👤 三峡大学
📅 2021-01-28
基于伪图腾柱结构的单相三电平功率因数校正电路，包括单相伪图腾柱结构、滤波器、带双向开关管的单相整流桥。其中单相伪图腾柱结构由2个全控型功率开关管、2个普通二极管组成非对称的两个桥臂；滤波器由两个相同的电感组成；带双向开关管的单相整流器由2个二极管组成的桥臂、一组双向开关管及2个相同的串联电容和一个负载组成，双向开关管由两个反向串联的全控型开关管组成，连接在二极管桥臂和串联电容之间实现电流的双向流动。本发明相对于传统升压功率因数校正整流器，能有效降低开关管的应力，提高变换器效率，开关管的导通损耗小，同时保留了伪图腾柱不存在桥臂直通的优点。
📄 2021101211940
📂 H02M1_42
👤 三峡大学
📅 2021-01-28
一种单相三电平伪图腾柱功率因数校正电路，包括单相伪图腾柱结构、滤波器、带双向开关管的单相整流桥。其中，单相伪图腾柱结构由2个全控型功率开关管、2个普通二极管组成非对称的两个桥臂；滤波器由两个相同的电感组成；带双向开关管的单相整流器由2个二极管组成的桥臂、一组双向开关管及2个相同的串联电容和一个负载组成，两个二极管、两个全控型功率开关管组成一个双向开关管单元，连接在二极管桥臂和串联电容之间。相对于传统升压功率因数校正整流器，本发明能有效降低开关管的应力，提高变换器效率，开关管的导通损耗小，同时保留了伪图腾柱不存在桥臂直通的优点。
📄 2021101196298
📂 H02M1_42
👤 三峡大学
📅 2021-01-28
基于三管五电平拓扑的单相功率因数校正电路，涉及功率因数校正电路领域，包括开关管Q1、Q2、Q3，交流电源AC一侧分别连接二极管D1阳极、二极管D2阴极，其连接节点构成端点b；交流电源AC另一侧连接电感L一端，电感L另一端分别连接二极管D3阳极、二极管D4阴极，连接节点构成端点a；二极管D7阴极连接电容C1一端，其连接节点构成端点p；电容C1另一端连接电容C2一端，其连接节点构成端点n；电容C2另一端连接二极管D8阳极，其连接节点构成端点m；开关管Q1漏极分别连接二极管D1阴极、二极管D7阳极，其连接节点构成端点c；开关管Q3源极分别连接二极管D2阳极、二极管D8阴极，其连接节点构成端点d。端点a、c、d、n构成对称四端口。本发明校正电路采用多电平，具备开关管电压应力小的优点。
📄 2019112838402
📂 H02M1_42
👤 三峡大学
📅 2019-12-13
基于混合H桥的单相五电平功率因数校正电路，包括开关管Q1、Q2、Q3，交流电源Vs一侧分别连接二极管D1阳极、二极管D2阴极，该连接节点构成端点b；交流电源Vs另一侧连接电感L一端，电感L另一端分别连接二极管D3阳极、二极管D4阴极，连接节点构成端点a；开关管Q3漏极分别连接二极管D1阴极、二极管D3阴极、二极管D7阳极、开关管Q1漏极，连接节点构成端点c；开关管Q3源极分别连接二极管D2阳极、二极管D4阳极、二极管D8阴极、开关管Q2源极，连接节点构成端点d；开关管Q2漏极连接开关管Q1源极，其连接节点构成端点n；二极管D7阴极连接电容C1一端，其连接节点构成端点p；电容C2负极连接二极管D8阳极，其连接节点构成端点m。本发明具有成本低、可靠性能高且控制系统设计简单等优点。
📄 2019112838370
📂 H02M1_42
👤 三峡大学
📅 2019-12-13
基于混合H桥的单相两管五电平整流器，包括开关管Q1、开关管Q2，交流电源Vs一侧分别连接二极管D1阳极、二极管D2阴极，该连接节点构成端点b；电感L另一端与二极管D3、D4、D5、D6的连接节点构成端点a；开关管Q1漏极与二极管D1、D3、D7的连接节点构成端点c；开关管Q1源极与二极管D2、D4、D8的连接节点构成端点d；二极管D8阳极连接电容C2负极构成端点m；二极管D11阳极、二极管D12阴极、电容C2正极均连接电容C1负极构成端点n；二极管D7阴极连接电容C1正极构成端点p。端点a、端点c、端点d、端点n构成混合H桥四端口。本发明整流器具有输出直流电压较高，谐波含量较小，开关管应力较低，控制较为简单等优点。
📄 2019112838101
📂 H02M1_42
👤 三峡大学
📅 2019-12-13
基于非对称四端口的单相三电平功率因数校正整流器，包括交流电源AC，电感L，开关管Q1、Q2、Q3、Q4，二极管D1、D2、D7、D8、D9、D10，电容Cdc1、Cdc2；交流电源AC一侧分别连接二极管D1阳极、二极管D2阴极，其连接节点构成端点b；交流电源AC另一侧连接电感L一端，电感L另一端分别连接开关管Q3源极、开关管Q4漏极，其连接节点构成端点a；开关管Q3漏极分别连接二极管D1阴极、二极管D8阳极，其连接节点构成端点c；开关管Q4源极分别连接二极管D2阳极、二极管D7阴极，其连接节点构成端点d；二极管D8阴极连接电容Cdc1一端，其连接节点构成端点p；电容Cdc1另一端连接电容Cdc2一端，其连接节点构成端点n；电容Cdc2另一端连接二极管D7阳极，其连接节点构成端点m。该整流器拓扑结构能够采用多载波调制方式，控制不同电路模态。
📄 2019108715077
📂 H02M1_42
👤 三峡大学
📅 2019-09-16
本发明涉及一种新能源发电系统用高压宽输入范围GaN电源模块，包括依次连接的输入滤波模块、GaN功率因数校正模块和GaN半桥LLC变换器模块；输入高压母线Vin+和输入高压地线Vin-连接输入滤波模块，经过输入滤波模块得到输入高压母线DC，GaN功率因数校正模块将输入滤波模块得到的输入高压母线DC的输入进行功率因数校正，得到PFC高压母线Vbus和PFC低压母线Vgnd输出；GaN半桥LLC变换器模块对GaN功率因数校正模块的输出进行DC/DC变换，得到输出高压母线Vout+和输出低压母线Vout-。本发明通过保证GaN器件工作在安全区域状态，从而实现功率模块的高频化和小型化，保证高密度功率集成和高效率，可以广泛应用于新能源发电系统中。
📄 2019107391719
📂 H02M1_42
👤 无锡派微科技有限公司
📅 2019-08-12
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