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一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法

Name: 一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法
SKU: 202211184687X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202211184687.X 📄 发布日：2026/08/27

著录项目信息

申请日

2022-09-27

公开号

CN115503130A

公开日

2022-12-23

申请人

南通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B28D5_04

IPC 分类号

B28D5_04

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料晶体加工线切割工艺

应用场景

半导体制造, 晶圆加工, 功率器件制造

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摘要

本发明公开了一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法，包括下述步骤：(1)、选择双数块整形完成的标准晶体，以A和B分别表示每个晶体的两个面；(2)、选择步骤(1)中的双数块晶体，在粘胶台上按照A‑B‑B‑A‑A‑B‑B‑A顺序和方向将双数个晶体粘接成整体；加压12小时；(3)、将步骤(2)粘接加工完成的晶体粘接到切割工件板上，待粘胶彻底冷却后即可进行多线切割。本发明提出了一种降低类碳化硅晶体多线切割中弯曲翘曲度的方法，通过使用双数晶体背向粘胶方法，在增加切割长度的同时，控制了切割晶片的弯曲翘曲，得到低弯曲翘曲度的切割片，给后续加工带来便利，降低了研磨抛光难度，提高了晶片加工质量。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

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