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氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法、装置和设备

Name: 氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法、装置和设备
Brand: 西安交通大学
SKU: 2025100519261
Availability: InStock

📄 申请号：CN202510051926.1 📄 发布日：2026/07/24

著录项目信息

申请日

2025-01-14

公开号

CN119479867A

公开日

2025-02-18

申请人

西安交通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G16C20_10

IPC 分类号

G16C20_10 , G06F30_10 , G16C20_40 , C30B15_22 , C30B29_16 , G06F111_10 , G06F119_08 ,

技术画像

所属领域

单晶生长半导体材料晶体生长缺陷检测单晶生长

应用场景

功率半导体器件, 光电探测器, 电力电子设备, 半导体衬底制造, 晶体生长工艺监控

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摘要

本申请提供了一种氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法、装置和设备，涉及单晶生长技术领域，包括：根据氧化镓单晶生长系统的结构信息，建立几何模型；对所述几何模型内各个区域进行计算网格划分，设置所述几何模型中对应计算网格的边界条件和控制方程，得到传热流动数值模型；基于所述传热流动数值模型，模拟在当前生长参数下的氧化镓的传热流动过程，得到模拟结果；所述模拟结果包括：结晶生长过程中坩埚内氧化镓熔体区域的流场信息；根据所述模拟结果中氧化镓熔体区域的涡流分布情况，确定在所述当前生长参数下制备的氧化镓是否会发生螺旋生长。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN119479867A

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：71 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 2657件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

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