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本申请提供了一种氧化镓单晶生长过程中螺旋生长的判断方法、装置和设备，涉及单晶生长技术领域，包括：根据氧化镓单晶生长系统的结构信息，建立几何模型；对所述几何模型内各个区域进行计算网格划分，设置所述几何模型中对应计算网格的边界条件和控制方程，得到传热流动数值模型；基于所述传热流动数值模型，模拟在当前生长参数下的氧化镓的传热流动过程，得到模拟结果；所述模拟结果包括：结晶生长过程中坩埚内氧化镓熔体区域的流场信息；根据所述模拟结果中氧化镓熔体区域的涡流分布情况，确定在所述当前生长参数下制备的氧化镓是否会发生螺旋生长。

本发明公开了一种适用于磷化铟单晶生长的外加行波磁场控制方法，在磷化铟单晶生长炉的金属炉壁外侧施加行波磁场，根据炉壁参数调整磁场频率，使得磷化铟熔体中的洛伦兹力大小达到最大值范围，所述炉壁参数包括炉壁的材质、厚度、内部结构是实心或中空，通过在金属炉壁外侧布置平行的若干组线圈、线圈上有序通入正弦交流电产生行波磁场。本发明在考虑磷化铟单晶生长炉金属炉壁电磁屏蔽作用的情况下，根据炉壁材料、厚度与内部结构参数调整磁场频率，使得磷化铟熔体中的洛伦兹力达到最大值范围，能够充分发挥行波磁场的电磁搅拌作用，从而高效地控制熔体流动、温度分布与结晶界面形状，以利于生长高品质磷化铟单晶。

本发明公开了螺旋选晶制备单晶85Cu‑15Sn合金的方法，利用定向凝固炉，使用螺旋选晶的方法制备CuSn单晶合金，所述定向凝固炉包括结晶杆和螺旋选晶器；螺旋选晶器固定在结晶杆上；定向凝固使得合金凝固界面前沿具有较高的温度梯度，有利于生成定向晶，通过螺旋选晶的方法，制备了单晶Cu‑15Sn合金，得到了晶粒取向一致的铜锡合金，合金沿同一晶粒生长方向具有较大的弹性模量，消除了横向晶界，消除了裂纹扩展的主要条件，解决了传统铸造法制备的铜锡合金溶质偏析、塑性差的问题，使获得的铜锡合金组织分布均匀，综合性能优良。