发明专利已授权

一种高稳定霍尔元件及其制备方法

Name: 一种高稳定霍尔元件及其制备方法
Brand: 陕西科技大学
SKU: 2016112278445
Availability: InStock

📄 申请号：CN201611227844.5 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2016-12-27

公开号

CN106784301B

公开日

2019-04-23

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L43_06

IPC 分类号

H01L43_06 , H01L43_14 , G01R33_00 , G01R33_07 ,

技术画像

所属领域

霍尔传感器霍尔传感器半导体器件磁敏传感器

应用场景

汽车电子, 工业自动化, 电机控制, 消费电子

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摘要

本发明提供一种高稳定霍尔元件及其制备方法，该高稳定霍尔元件结构包括硬质基片、引线端、由两层或多层不同材料的薄膜堆栈组合而成的霍尔片及壳体。所述的霍尔片结构设计为对称的“十”字形结构、缺角矩形结构、四叶草结构、十字星形结构等多种不同的结构，并且半导体薄膜层由不同温度霍尔系数的材料组成。所述的引线端位于不同结构的四端，两两对称的两端分别为电流输入端和霍尔电压输出端。本发明的一种高稳定霍尔元件，由于含两层或多层不同温度霍尔系数的薄膜层，不仅具有高系数形状效应、高输出电压的特点，而且可以降低霍尔系数对温度的响应，减小温度对霍尔电压的影响，提升霍尔元件的稳定性。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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