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本发明提供一种高稳定霍尔元件及其制备方法，该高稳定霍尔元件结构包括硬质基片、引线端、由两层或多层不同材料的薄膜堆栈组合而成的霍尔片及壳体。所述的霍尔片结构设计为对称的“十”字形结构、缺角矩形结构、四叶草结构、十字星形结构等多种不同的结构，并且半导体薄膜层由不同温度霍尔系数的材料组成。所述的引线端位于不同结构的四端，两两对称的两端分别为电流输入端和霍尔电压输出端。本发明的一种高稳定霍尔元件，由于含两层或多层不同温度霍尔系数的薄膜层，不仅具有高系数形状效应、高输出电压的特点，而且可以降低霍尔系数对温度的响应，减小温度对霍尔电压的影响，提升霍尔元件的稳定性。

本发明提供一种基于柔性基板的高稳定霍尔元件及其制备方法，该柔性的霍尔元件结构为对称的四叶草结构、缺角矩阵结构、十字星形结构等各种不同的结构。所述霍尔元件结构包括柔性基底、以真空蒸镀方式堆栈而成的两层或多层不同温度霍尔系数的薄膜层、电极以及起保护作用的壳体。所述的柔性基底为塑料或超薄铝片。本发明的一种柔性、高稳定的霍尔元件可减小温度对霍尔电压的影响，提升霍尔元件稳定性，并且它的柔性使其具有广泛的应用前景，比如可以嵌入智能纺织物，用这种纺织物制成的服装可以随时监控人体的各种功能；也可将其作为机器人的控制单元传感元件。

本发明公开了一种通过极化方向调控霍尔效应的结构，包括基片，基片上沉积下电极层，下电极层上沉积BFO薄膜层，BFO薄膜层上沉积有两个并排方孔的绝缘层；绝缘层上的每个方孔内沉积呈十字架形的铂电极，铂电极的端部在绝缘层上向外延伸并纵向连接为一体。在铂电极的六个端部焊接银电极。由于BFO不但具有磁性，同时还具有铁电性，其铁电极化方向可以通过外场进行调控。而BFO中磁性来源于铁离子，在极化方向转变的过程中，铁离子的位置可能会发生移动，从而影响到薄膜铂的磁性，进一步影响到铂/BFO的反常霍尔效应。本发明通过改变极化方向来调控反常的霍尔效应，对于研究和分析稀磁半导体中的磁性机制和在自旋电子学方面具有潜在应用的材料具有重要作用。