发明专利已授权

SiCMOSFET门极驱动电压控制电路及其控制方法

📄 申请号：CN201811288609.8 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2018-10-31

公开号

CN109240408A

公开日

2019-01-18

申请人

西安理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G05F1_569

IPC 分类号

G05F1_569

技术画像

所属领域

控制方法功率半导体器件栅极驱动电路电压控制电路控制方法

应用场景

新能源汽车, 光伏逆变器, 储能系统, 充电桩, 工业电机驱动

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摘要

本发明公开了，SiCMOSFET门极驱动电压控制电路，包括FPGA芯片，FPGA芯片分别连接有门极驱动级、电流检测电路、电压检测电路。本发明还公开了SiCMOSFET的门极驱动电压控制方法，该方法通过本发明第一种技术方案的SiCMOSFET门极驱动电压控制电路实现电压控制，具体包括在SiCMOSFET门极驱动电压控制电路中接入SiCMOSFET，并将FPGA芯片与开关连接，在开关打开或关断时，FPGA芯片控制门极驱动级输出不同的门极驱动电压，使SiCMOSFET完全导通或SiCMOSFET完全关断。本发明能够有效的抑制大功率SiCMOSFET高频应用中出现的过冲、振荡、EMI等问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200925

✅ 授权

20190219

?? 实质审查的生效：

20190118

📄 公开

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