发明专利已授权

一种基于倾斜垂直磁各向异性TbCo薄膜及制备方法

📄 申请号：CN202111444000.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-11-30

公开号

CN114156042B

公开日

2023-09-12

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01F10_12

IPC 分类号

H01F10_12 , H01F41_18 ,

技术画像

所属领域

磁性薄膜磁性薄膜磁各向异性薄膜制备技术

应用场景

磁存储, 自旋电子器件, 磁传感器, 磁随机存储器

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摘要

本发明公开了一种基于倾斜垂直磁各向异性TbCo薄膜及制备方法。本发明可以简单分成三层：缓冲层、合金层和保护层。通过共溅射工艺的优化，以及Tb和Co溅射功率的调节，可以实现TbCo垂直各向异性的控制，实现倾斜垂直各向异性。本发明提供了这种基于TbCo合金的倾斜垂直磁各向异性工艺方法，相比于其他实现材料体系，其实现方法更加适用于产业化的晶圆级尺寸样品生长，且更加经济高效。在未来的磁存储行业中有着很大的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于楔形钴铂组分梯度薄膜的磁性随机存储器及制备方法

当前第 / 件

一种根系土力学测试的分区取样的装置及测试方法

同领域国内专利 · IPC: (H01F10_12)

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：28 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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