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基于楔形钴铂组分梯度薄膜的磁性随机存储器及制备方法

Name: 基于楔形钴铂组分梯度薄膜的磁性随机存储器及制备方法
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2021114456772
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111445677.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-11-30

公开号

CN114141944B

公开日

2023-09-05

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10N50_10

IPC 分类号

H10N50_10 , H10N50_85 , H10N50_80 , H10N50_01 , H10B61_00 ,

技术画像

所属领域

磁性随机存储器磁性随机存储器磁性薄膜制备钴铂合金材料

应用场景

数据存储, 消费电子, 云计算服务器, 嵌入式存储, 高性能计算

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摘要

本发明公开了一种基于楔形钴铂组分梯度薄膜的磁性随机存储器及制备方法。本发明从上到下依次为保护层、薄膜层、缓冲层，并在四周设有电极。其中保护层、薄膜层和缓冲层经过刻蚀微纳加工成的结构为十字结构，所述的薄膜层从下到上由Pt、Co、Pt、Co、Pt、Co、MgO结构构成，其中最下层的Pt和最上层的Co为楔形结构。在沿着垂直楔形层变化方向通入的调控电流Is，器件另外两电极检测薄膜层的电阻值的变化，当连续通入同一方向脉冲电流时电阻会连续改变至极值。本发明可以通过电流调控，实现高效存储。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN114141944B

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该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于精确日地距离的卫星传感器辐射时序定标方法

当前第 / 件

一种基于倾斜垂直磁各向异性TbCo薄膜及制备方法

同领域国内专利 · IPC: (H10N50_10)

H10N50_01 H10N50_10 H10N50_80 覆盖3个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：51 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

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王**¥-10万

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