本发明公开了一种基于倾斜垂直磁各向异性TbCo薄膜及制备方法。本发明可以简单分成三层:缓冲层、合金层和保护层。通过共溅射工艺的优化,以及Tb和Co溅射功率的调节,可以实现TbCo垂直各向异性的控制,实现倾斜垂直各向异性。本发明提供了这种基于TbCo合金的倾斜垂直磁各向异性工艺方法,相比于其他实现材料体系,其实现方法更加适用于产业化的晶圆级尺寸样品生长,且更加经济高效。在未来的磁存储行业中有着很大的应用前景。
📄 2021114440007
📂 H01F10_12
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-11-30