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一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源

Name: 一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源
Brand: 广州大学
SKU: 2022114935536
Availability: InStock

📄 申请号：CN202211493553.6 📄 发布日：2026/07/10

著录项目信息

申请日

2022-11-25

公开号

CN116204024A

公开日

2023-06-02

申请人

广州大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G05F1_56

IPC 分类号

G05F1_56

技术画像

所属领域

模拟集成电路模拟集成电路 CMOS工艺电流基准源

应用场景

集成电路设计, 电源管理, 低功耗电子设备, 物联网设备, 传感器系统

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摘要

本发明公开一种采用偏衬技术和泄露隔离的超低功耗全CMOS电流基准源，主要由四个部分构成，分别为特定的电流输出级、泄露隔离器、偏置电路和二级线性稳压器。其中，特定的电流输出级采用了偏衬技术和共源共栅结构，令功耗、输出精度和负载调整率均得到改善；泄露隔离器针对隔离衬底偏置引入的衬底泄露电流进行隔离；偏置电路用于产生一个与温度成反比的偏置电压，并对输出级进行温度补偿；二级线性稳压器利用两级电压基准产生一个与电源电压无关的供电电压，降低基准电流的电源线性度。本发明基于亚阈值操作和偏衬技术，在较小的电路面积上获得一个具有高精度、超低功耗和宽温度范围的基准电流。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN116204024A

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

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