发明专利已授权

一种基于电子俘获诱导空穴注入形成光增益的钙钛矿光电器件及其制备方法

Name: 一种基于电子俘获诱导空穴注入形成光增益的钙钛矿光电器件及其制备方法
Brand: 重庆渝微电子技术研究院有限公司
SKU: 201710981712X
Availability: InStock

📄 申请号：CN201710981712.X 📄 发布日：2026/07/03

著录项目信息

申请日

2017-10-20

公开号

CN107768521A

公开日

2018-03-06

申请人

重庆渝微电子技术研究院有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L51_42

IPC 分类号

H01L51_42 , H01L51_46 , H01L51_48 ,

技术画像

所属领域

钙钛矿光电器件钙钛矿材料光电器件半导体器件钙钛矿光电器件

应用场景

光通信, 激光器, 光放大器, 光电探测, 发光显示

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摘要

一种基于电子俘获诱导空穴注入形成光增益的CH3NH3PbI3钙钛矿光电器件及其制备方法，属于光电探测技术领域。从下至上，依次由具有ITO导电薄膜的玻璃衬底、PEDOT-PSS空穴传输层、CH3NH3PbI3钙钛矿感光薄膜、PCBM电子萃取层、PCBM：F4-TCNQ混合材料电子俘获层、BCP修饰层、Au电极构成。钙钛矿感光层吸光后产生的光生电子流向器件阴极，并被F4-TCNQ提供的深电子陷阱所束缚，导致阴极附近的PCBM能级向下弯曲，并在PCBM中形成空穴势垒尖峰，阴极空穴在较小的反向偏压下可以隧穿通过该势垒尖峰并注入器件，最终形成空穴增益，大幅提高探测器的光电流密度。

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20200828

?? 专利权的转移：

20190507

✅ 授权

20180330

?? 实质审查的生效：

20180306

📄 公开

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