发明专利已授权

贵金属结构产生圆二色信号的结构及其制备方法

📄 申请号：CN202110573248.7 📄 发布日：2026/06/30

著录项目信息

申请日

2021-05-25

公开号

CN113219569B

公开日

2023-01-31

申请人

韩山师范学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G02B5_00

IPC 分类号

G02B5_00 , G02B1_00 , G03F7_00 , G03F7_16 , G03F7_20 , G03F7_32 ,

技术画像

所属领域

纳米光子学纳米光子学手性光学贵金属纳米结构

应用场景

光学传感, 手性分子检测, 超材料器件, 生物医学检测, 光子器件

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摘要

本申请涉及贵金属结构产生圆二色信号的结构及其制备方法，具体而言，涉及圆二色信号结构领域。本申请提供的结构包括：第一结构层、光刻胶层和第二结构层，当该光照射在本申请的结构的第一结构层或者第二结构层上，由于该第一结构层和第二结构层为互补结构，且均为贵金属结构，则该第一结构层和第二结构层在光的作用下，该第一结构层和第二结构层中的自由电子与光产生耦合，即光激发该第一结构层和第二结构层产生表面等离激元，表面等离激元使得本申请的结构的圆二色性信号比自然界中的手性结构的圆二色性信号强很多，即本申请的结构可以产生较多的圆二色性信号。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种磁场的测量装置

当前第 / 件

一种应用于基于UE4全息沙盘的交互方法及装置

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G02B5_00 G02B5_02 G02B5_04 G02B5_08 G02B5_12 G02B5_124 G02B5_126 G02B5_128 G02B5_18 G02B5_20 G02B5_28 G02B5_30 覆盖12个领域

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