发明专利已授权

一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管

📄 申请号：CN202210495854.6 📄 发布日：2026/06/16

著录项目信息

申请日

2022-05-09

公开号

CN114843377B

公开日

2025-06-27

申请人

金陵科技学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10H20_812

IPC 分类号

H10H20_812 , H10H20_825 ,

技术画像

所属领域

紫外发光二极管半导体光电子器件氮化物半导体发光二极管外延结构紫外发光二极管

应用场景

紫外固化, 杀菌消毒, 水处理, 空气净化, 光催化

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摘要

本发明提供了一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管（UV‑LED），其构成要素自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区和p型AlGaN层。在p型AlGaN层和n型AlGaN层上分别引出p型欧姆电极和n型欧姆电极。在最后一层AlyGa1‑yN量子垒（QB）中间插入禁带宽度比QB更高、但晶格常数和QB相同的AlInGaN插入层，用以取代传统的电子阻挡层（EBL）。采用AlInGaN插入层的UV‑LED可以将最后一层QB与EBL界面由极化场引起的空穴耗尽层转换为空穴积累层，提高空穴注入效率。同时，可以有效减小最后一层QB和p型区之间的能带弯曲，提高电子和空穴波函数的重叠程度，且更容易将电子局限在有源区内，从而提高的载流子辐射发光，最终提高UV‑LED的内量子效率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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