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本发明提供了一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管（UV‑LED），其构成要素自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区和p型AlGaN层。在p型AlGaN层和n型AlGaN层上分别引出p型欧姆电极和n型欧姆电极。在最后一层AlyGa1‑yN量子垒（QB）中间插入禁带宽度比QB更高、但晶格常数和QB相同的AlInGaN插入层，用以取代传统的电子阻挡层（EBL）。采用AlInGaN插入层的UV‑LED可以将最后一层QB与EBL界面由极化场引起的空穴耗尽层转换为空穴积累层，提高空穴注入效率。同时，可以有效减小最后一层QB和p型区之间的能带弯曲，提高电子和空穴波函数的重叠程度，且更容易将电子局限在有源区内，从而提高的载流子辐射发光，最终提高UV‑LED的内量子效率。