发明专利已授权

一种激光原位合成洋葱碳的制备方法

📄 申请号：CN202210757772.4 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2022-06-29

公开号

CN115283667B

公开日

2024-02-23

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B22F1_16

IPC 分类号

B22F1_16 , B22F9_04 , C01B32_05 ,

技术画像

所属领域

纳米碳材料纳米碳材料碳纳米材料制备激光加工技术

应用场景

储能材料, 电极材料, 润滑添加剂, 催化剂载体, 复合材料增强

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摘要

本发明涉及一种激光原位合成洋葱碳的制备方法，属于激光加工与材料合成技术领域，步骤包括：（1）原料粉末的配制：原料粉末由金属Ni粉和碳化物SiC粉末组成；（2）金属基板的预处理：选用纯铜基板，进行表面处理，用试样袋封装，避免表面氧化；（3）激光原位合成洋葱碳的制备：将步骤（1）所得的原料粉末预置在步骤（2）所得的金属基板表面，并在氩气保护气氛中进行激光加工，在金属基板表面进行原位合成反应生成洋葱碳。本发明利用激光加工技术和原位合成反应，在镍金属中合成了纳米/微米级洋葱碳，制备的洋葱碳在金属基体中均匀分散，结构完整，其直径从400纳米到2微米。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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