发明专利 已授权

一种芯片划切用多孔质超薄砂轮及其制备方法

📄 申请号:CN202110379057.7 📄 发布日:2026/05/13

著录项目信息

申请日
2021-04-08
公开号
CN113021204A
公开日
2021-06-25
申请人
华侨大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

芯片划切, 半导体晶圆切割, 精密磨削, 电子元器件加工

摘要

本发明提供一种芯片划切用多孔质超薄砂轮及其制备方法,超薄砂轮由超硬磨料和金属基胎体组成,超硬磨料包括金刚石、立方氮化硼,金属基胎体为Ti‑Al基合金,超薄砂轮上的多孔结构是利用由Ti/Al元素间扩散速率差引起的柯肯达尔效应反应生成;制备方法包括物料制备、冷压成型、烧结成型和机械加工;所述烧结成型由造孔、性能调节两个烧结工序组成,造孔工序的烧结条件为600~700℃、10~240min,性能调节工序的烧结条件为750~1100℃、5~120min。本发明利用Ti元素和超硬磨料的互扩散来实现化学键合,以提高磨粒把持力,使超薄砂轮可进一步减薄;利用Ti/Al元素间的柯肯达尔效应引入多孔结构来改善超薄砂轮的自锐能力,以提高芯片的划切质量,并且不需要添加造孔剂等材料以降低生产成本。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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