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一种芯片划切用多孔质超薄砂轮及其制备方法

Name: 一种芯片划切用多孔质超薄砂轮及其制备方法
Brand: 华侨大学
SKU: 2021103790577
Availability: InStock

📄 申请号：CN202110379057.7 📄 发布日：2026/09/14

著录项目信息

申请日

2021-04-08

公开号

CN113021204A

公开日

2021-06-25

申请人

华侨大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24D18_00

IPC 分类号

B24D18_00 , B24D3_10 , B24D3_34 , C22C14_00 , C22C26_00 , C22C32_00 , C22C1_08 , B22F5_00 , B22F3_11 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

芯片划切, 半导体晶圆切割, 精密磨削, 电子元器件加工

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摘要

本发明提供一种芯片划切用多孔质超薄砂轮及其制备方法，超薄砂轮由超硬磨料和金属基胎体组成，超硬磨料包括金刚石、立方氮化硼，金属基胎体为Ti‑Al基合金，超薄砂轮上的多孔结构是利用由Ti/Al元素间扩散速率差引起的柯肯达尔效应反应生成；制备方法包括物料制备、冷压成型、烧结成型和机械加工；所述烧结成型由造孔、性能调节两个烧结工序组成，造孔工序的烧结条件为600～700℃、10～240min，性能调节工序的烧结条件为750～1100℃、5～120min。本发明利用Ti元素和超硬磨料的互扩散来实现化学键合，以提高磨粒把持力，使超薄砂轮可进一步减薄；利用Ti/Al元素间的柯肯达尔效应引入多孔结构来改善超薄砂轮的自锐能力，以提高芯片的划切质量，并且不需要添加造孔剂等材料以降低生产成本。

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……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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