发明专利已授权

一种芯片划切用多孔质Cu-Sn基超薄砂轮及其制备方法

📄 申请号：CN202110379041.6 📄 发布日：2026/05/13

著录项目信息

申请日

2021-04-08

公开号

CN113084717B

公开日

2022-05-03

申请人

华侨大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B24D3_10

IPC 分类号

B24D3_10 , B24D3_34 , B24D18_00 ,

技术画像

所属领域

砂轮制造砂轮制造多孔结构材料半导体加工工具

应用场景

芯片划切, 晶圆切割, 半导体封装, 精密磨削, 电子器件加工

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摘要

本发明提供一种芯片划切用多孔质Cu‑Sn基超薄砂轮及其制备方法，超薄砂轮的金属基胎为Cu‑Sn‑Ti合金，超薄砂轮的多孔结构是利用由Cu/Sn元素间扩散速率差引起的柯肯达尔效应反应生成；制备方法步骤包括物料制备、冷压成型、钎焊成型和机械加工；其中钎焊成型由造孔、活性钎焊两个加热工序组成；所述的造孔工序的参数为200～250℃、30～240min；所述的活性钎焊工序的参数为650～950℃、5～100min。本发明利用活性钎焊技术使金属结合剂与超硬磨料发生化学冶金反应，以提高磨粒把持力，使超薄砂轮可进一步减薄；利用Cu/Sn元素间的柯肯达尔效应引入多孔结构来改善超薄砂轮的自锐能力，以提高芯片划切质量，并且不需要添加造孔剂等材料以降低生产成本。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种芯片划切用多孔质超薄砂轮及其制备方法

当前第 / 件

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