发明专利已授权

一种NiO/Bi₂MoO₆异质结阵列及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202310561156.6 📄 发布日：2026/08/19

著录项目信息

申请日

2023-05-18

公开号

CN117164023B

公开日

2025-06-20

申请人

江西师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G53_04

IPC 分类号

C01G53_04 , C01G39_00 , B82Y40_00 , B82Y30_00 , B82Y15_00 , G01N27_12 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

光催化, 光电催化, 气体传感器, 能源转换

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摘要

本发明属于气体传感材料制备领域，公开了一种NiO/Bi2MoO6异质结阵列及其制备方法和应用。本发明首先采用水热法在商用平板型Al2O3气敏基片表面原位生长Ni(OH)2纳米片阵列，然后通过氧化退火处理将Ni(OH)2纳米片阵列转化为多孔的NiO纳米片阵列，最后采用溶剂热法进一步在NiO纳米片阵列表面原位沉积Bi2MoO6纳米颗粒，制得NiO/Bi2MoO6异质结阵列。本发明的制备过程简单、成本低廉，风险性低。本发明制得的NiO/Bi2MoO6异质结阵列具有多孔结构和大的比表面积，以及具有良好的异质界面接触，可以在可见光激发下实现乙醚气体的室温高选择性检测。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种Mn掺杂CoP纳米线复合Ni(PO3)2纳米团簇异质结阵列及其制备方法和应用

当前第 / 件

一种稀土Ce掺杂Ni₅P₄多孔纳米片阵列及其制备方法和应用

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